| |
半导体元件测试仪 |
| 厂商名称 |
美国 |
| 产品型号 |
IST8800 |
| |
 产品特点：
IST8800提供了40种测量参数，它们分别为：
·三极管：Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,
Vce(sat)Vbe{sat}Hfe，Icer,1Cesm，Icev,BVCer，BvceS,Bvcev；
·二极管：Ir,BVr,Vr ·齐纳二极管：BVz,lzr,Vzr, Vzf J—FET：Idss；gss,BVgss,gm，SCR&TRIAC：+/|lgt,+/|vgt
·稳压器：+/_VO,+lib，△V MOS-PET：Idss，Igss,BVdss,Vgs(th)
性能特点：·后备电池的CMOS RAM，提供56个不同测试程序的参数与数据的存储功能·全部可编程的DUT恒流源和电压源
· 300μS脉冲测试或直流测试·内置继电器矩阵提供更加灵活并且准确的测量·软件自校准功能·内部自动保护电路在DUT加电前，检测开路、短路，PH结反向，辨别器件类型(NPN
或PNP、P-沟道或N-沟道)，校验正确的连接·测试分辨率小到0.1nA电流，大到1200V电压·重复“回路”式测试解决了元件发热与间歇的问题。 |
|
| |
|
技术指标 |
参数规范： 漏电流：三极管 icbo,iceo,icev,ices,ice
r二极 izr
J/MOS-FET 栅极电压： idss
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 2mA |
1μA |
+/-1% |
0 ～ 600V* |
| 0 ～ 20μA |
10nA |
+/-1% |
0 ～ 600V* |
| 0 ～ 2μA |
1 nA |
+/-1% |
0 ～ 600V* |
| 0 ～ 200μA |
0.1nA |
+/-3% |
0 ～ 600V* |
|
击穿电压：三极管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer,齐纳二极管
Vzr J/MOS场效应管BVgss/bvdss
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 30V |
0.15V |
+/-1% |
0 ～ 10 mA |
| 30 ～ 600V |
3V |
+/-2% |
0 ～ 2 mA |
|
正向导通电压：三极管 Vce(sat)Vbe(sat)二极管Vf
J/MOS 场效应管Vgs(th) 极管Bvr齐纳管Vzf
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 4V |
1 mV |
+/-1% |
0 ～ 5A(1c.1f) |
| 0 ～ 15V |
1 mV |
+/-2% |
0 ～ 1A(1b) |
|
三极管电流增益 Hfe
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 9999 |
1 |
+/-2% |
0 ～ 10(Vce) |
| |
|
|
0.5mA ～ 5A(lc) |
|
齐纳二极管反向击穿压BVz
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 4V |
1 mV |
+/-1% |
0 ～ 0.5A |
| 4 ～ 60V |
15 mV |
+/-2% |
0 ～ 0.5A |
|
J/MOS场效应管lgss，稳压器静态电流+/-lgt
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 200 mA |
0.1 mA |
+/-1% |
0 ～ 30V |
| 0 ～ 20 mA |
1μA |
+/-1% |
0 ～ 30V |
| 0 ～ 2μA |
10 nA |
+/-1% |
0 ～ 30V |
| 0 ～ 200μA |
1 nA |
+/-2% |
0 ～ 30V |
|
J型场效应管跨导gm
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 99mMHo |
0.05 mMHo |
+/-1% |
0 ～ 30V |
| 0 ～ 99mMHo |
0.05μMHo |
+/-1% |
0 ～ 30V |
0 ～ 99nMHo |
0.05 nMHo |
+/-2% |
0 ～ 30V |
|
可控硅管和三端双向可控硅管触发电流 +/-lgt
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 1A |
5 mA |
+/-1% |
0.9 ～ 5V |
| 0 ～ 100 mA |
0.5 mA |
+/-1% |
0.9 ～ 5V |
0 ～ 10 mA |
50μA |
+/-1% |
0.9 ～ 5V |
0 ～ 1 mA |
5μA |
+/-1% |
0.9 ～ 5V |
0 ～ 1μA |
0.5μA |
+/-1% |
0.9 ～ 5V |
|
可控硅管和三端双向可控硅管擎住电流 lh
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 200 mA |
1 mV |
+/-1% |
0.9 ～ 5V |
|
可控硅管和三端双向可控硅管触发电压 +/-Vgt、稳压器输出电压+/-Vo、稳压器电压差△V
|
| 测试范围 |
分辨率 |
精 度 |
测试条件 |
| 0 ～ 4 V |
1 mV |
+/-1% |
0 ～ 30V |
| 4 ～ 40V |
1 mV |
+/-1% |
0 ～ 30V |
|
| |
|
您现在的位置:产品展示 - 集成电路测试仪 - 半导体分立器件测试仪